産総研実証　ＮＡＮＤフラッシュメモリー性能向上技術　書き換え能力１億回超える

FujiSankei Business i.のニュース。業技術総合研究所（産総研）というところが、NAND型フラッシュメモリーの性能が大幅にアップする技術を開発。半導体のデータの書き換え回数が１億回以上の同メモリーの実証に成功したとか。微細化技術の進展にもつながり、携帯電話や音楽プレーヤーの小型化の実現も期待されているそうです。

従来は約１万回だそうですので耐久度が１万倍アップって事みたいです。スゲー！ウォークマンも完全にメモリータイプが主流になってしまいましたので、こういう技術の登場は作り手側にとってもウェルカムなのではないでしょうか。

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