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2008年5月22日
１億回以上の書き換えができるNAND型フラッシュメモリーの性能向上技術
産総研実証 ＮＡＮＤフラッシュメモリー性能向上技術 書き換え能力１億回超える
FujiSankei Business i.のニュース。業技術総合研究所（産総研）というところが、NAND型フラッシュメモリーの性能が大幅にアップする技術を開発。半導体のデータの書き換え回数が１億回以上の同メモリーの実証に成功したとか。微細化技術の進展にもつながり、携帯電話や音楽プレーヤーの小型化の実現も期待されているそうです。
従来は約１万回だそうですので耐久度が１万倍アップって事みたいです。スゲー！ウォークマンも完全にメモリータイプが主流になってしまいましたので、こういう技術の登場は作り手側にとってもウェルカムなのではないでしょうか。
SSDも市場が12年には7267億円と07年の11倍に拡大すると予測されてます＞記憶装置「ＳＳＤ」世界市場、2012年に11倍に拡大・民間まとめ
投稿者 SPA : 2008年5月22日 13:17 : カテゴリー コンピュータ , 携帯AVプレイヤー , 携帯電話・PHS , 業界動向
