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2005年12月 8日
ソニー、電子スピン利用不揮発性磁気メモリと45nmプロセスLSI高性能化技術を開発
【レポート】IEDM 2005 - ソニー、電子のスピンを利用した不揮発性磁気メモリを開発
ソニーは、IEDM2005というイベントで電子のスピンを利用した不揮発性磁気メモリ（Spin-RAM）の開発とその概要を発表したそうです。Spin-RAMは書き込みに外部磁界を必要としないため、MRAMよりも高密度で、消費電流が低い不揮発性メモリを実現できるのだとか。
こちらは、東芝とソニーが、45nmプロセスで製造されるLSIの高性能化に必要な歪みシリコン技術とLow-k技術を開発したというニュース。
紹介しておいてなんですが、どちらも自分にはなんのことやらです…。
投稿者 SPA : 2005年12月 8日 11:03 : カテゴリー ソニー全体
