ソニー、電子スピン利用不揮発性磁気メモリと45nmプロセスLSI高性能化技術を開発

【レポート】IEDM 2005 – ソニー、電子のスピンを利用した不揮発性磁気メモリを開発

ソニーは、IEDM2005というイベントで電子のスピンを利用した不揮発性磁気メモリ(Spin-RAM)の開発とその概要を発表したそうです。Spin-RAMは書き込みに外部磁界を必要としないため、MRAMよりも高密度で、消費電流が低い不揮発性メモリを実現できるのだとか。

東芝とソニー、45nmプロセスLSIの高性能化技術を開発

こちらは、東芝とソニーが、45nmプロセスで製造されるLSIの高性能化に必要な歪みシリコン技術とLow-k技術を開発したというニュース。

紹介しておいてなんですが、どちらも自分にはなんのことやらです…。